| Kod |
Ders Adı |
Dili |
Türü |
| EHB 262E |
Elektonik II |
İngilizce |
Zorunlu |
| Kredi |
AKTS |
Ders |
Uygulama |
Laboratuvar |
| 3 |
5 |
3 |
0 |
0 |
| Dersin Önşartı ve Sınıf Kısıtı |
| Ders Önşartı |
EHB 211 MIN DD
veya EHB 211E MIN DD
veya EEF 211 MIN DD
veya EEF 211E MIN DD
|
| Sınıf Kısıtı |
Yok |
| Ders Tanımı |
Kuvvetlendirme ve kazanç kavramı, desiBell kavramı, gerilim kuvvetlendiricisi / akım kuvvetlendiricisi / geçiş iletkenliği devresi
/ geçiş direnci devresi modelleri, kuvvetlendirmede tranzistorun kavramsal işlevi. Tranzistorlu (BJT, MOSFET) devrelerin DC
analizi. BJT ve MOSFET'in küçük işaret eşdeğeri, uç dirençleri. BJT ve MOSFET'li kuvvetlendiricilerin AC analizi: Temel
kuvvetlendirici katların kazanç ve giriş/çıkış dirençleri, kaskat (doğrudan/kapasitif bağlı) kuvvetlendiricilerin analizi. Kaskod
yapı, Darlington yapısı. Fark kuvvetlendiricisi, fark ve ortak işaret kazancı, ortak işareti bastırma oranı. Akım kaynakları, aktif
yüklü devreler. İşlemsel kuvvetlendirici, ideal ve gerçek davranış, örnek bir İK'nin iç yapısı, İK'nin doğrusal ve doğrusal
olmayan uygulamaları, idealsizliklerin davranışa etkisi
|
|
